| 标题 |
Side and Corner Region Non-Uniformities in Grown SiO2 and Their Implications on Current, Capacitance and Breakdown Characteristics 相关领域
氧化物
浅沟隔离
材料科学
沟槽
光电子学
电容
击穿电压
栅氧化层
与非门
随时间变化的栅氧化层击穿
泄漏(经济)
电压
电气工程
逻辑门
复合材料
晶体管
化学
工程类
冶金
电极
图层(电子)
经济
宏观经济学
物理化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 作者:J. P. Bastos; B. J. O'Sullivan; Y. Higashi; A. Chasin; J. Franco; et al 出版日期:2024-05-17 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|