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 Investigation of TaN as the wet etch stop layer for HKMG-last integration in the 22 nm and beyond nodes CMOS technology TaN作为22 nm及以上节点CMOS工艺中HKMG-last集成湿法刻蚀停止层的研究
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期刊：Vacuum 作者：Hushan Cui; Jun Luo; Jing Xu; Jianfeng Gao; Jinjuan Xiang; et al 出版日期：2015-05-28 |
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