| 标题 |
 Investigation of TaN as the wet etch stop layer for HKMG-last integration in the 22 nm and beyond nodes CMOS technology TaN作为22 nm及以上节点CMOS工艺中HKMG-last集成湿法刻蚀停止层的研究
相关领域
PMOS逻辑
NMOS逻辑
氮化钛
氮化钽
材料科学
金属浇口
锡
原子层沉积
蚀刻（微加工）
CMOS芯片
光电子学
工作职能
图层（电子）
氮化物
纳米技术
晶体管
栅氧化层
电气工程
冶金
电压
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Vacuum 作者：Hushan Cui; Jun Luo; Jing Xu; Jianfeng Gao; Jinjuan Xiang; et al 出版日期：2015-05-28 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
GingerF
可耐的豪英
嘻嘻哈哈
Criminology34
SimpleKwee
无极微光
张欢馨
不能玩一下午吗
欢呼洋葱
Momomo
平常千万
OsamaKareem
自然思烟
ponymjj
学术文献互助
Untitled
Yyyyyyyyy
毛豆爸爸
竹筏过海
慕青
皖公网安备34019202002308
