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  Predictive and prospective calibrated TCAD to improve device performances in sub-20 nm gate length p-FinFETs 提高低于20 nm栅极长度P-FinFET器件性能的预测和前瞻性校准TCAD
相关领域
光电子学
材料科学
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Pierre Eyben; A. De Keersgieter; Philippe Matagne; T. Chiarella; Clément Porret; et al 出版日期：2024-02-19 |
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