| 标题 |
 Selectively Nitrogen Doped ALD-IGZO TFTs with Extremely High Mobility and Reliability 具有极高迁移率和可靠性的选择性氮掺杂ALD-IGZO薄膜晶体管
相关领域
材料科学
光电子学
氮气
兴奋剂
可靠性（半导体）
纳米技术
有机化学
量子力学
物理
功率（物理）
化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Dong-Gyu Kim; Hyuk Choi; Yoon-Seo Kim; Donghyeon Lee; Hye‐Jin Oh; et al 出版日期：2023-06-23 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
秋风
cdercder
DW
谢雷XIELei
快点毕业
一大群
东方元语
aaaa
Nole
学霸业
独特元蝶
aa
牧青
OK
aajhajkahna
Criminology34
科研狗
乐空思
xing_xing
极限001
皖公网安备34019202002308
