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 Selectively Nitrogen Doped ALD-IGZO TFTs with Extremely High Mobility and Reliability 具有极高迁移率和可靠性的选择性氮掺杂ALD-IGZO薄膜晶体管
相关领域
材料科学
光电子学
氮气
兴奋剂
可靠性（半导体）
纳米技术
有机化学
量子力学
物理
功率（物理）
化学
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| 其它 |
期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Dong-Gyu Kim; Hyuk Choi; Yoon-Seo Kim; Donghyeon Lee; Hye‐Jin Oh; et al 出版日期：2023-06-23 |
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