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  Analysis of Tunneling Current of Asymmetric Double Gate MOSFET for Ratio of Top and Bottom Gate Oxide Film Thickness 相关领域
栅氧化层
MOSFET
量子隧道
材料科学
光电子学
双闸门
随时间变化的栅氧化层击穿
电流（流体）
氧化物
电气工程
晶体管
电压
工程类
冶金
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期刊：The Journal of the Korean Institute of Information and Communication Engineering 作者：Hakkee Jung 出版日期：2016-05-31 |
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