Accelerated response speed of quantum-dot light-emitting diodes by hole-trap-induced excitation memory

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标题	Accelerated response speed of quantum-dot light-emitting diodes by hole-trap-induced excitation memory 利用空穴激发存储器提高量子点发光二极管的响应速度
网址	https://doi.org/10.1038/s41928-025-01350-0
DOI	10.1038/s41928-025-01350-0 doi
其它	期刊：Nature Electronics 作者：Xiuyuan Lu; Yunzhou Deng; Siyu He; Xitong Zhu; Szymon J. Zelewski; et al 出版日期：2025
求助人	kaxif 在 2025-03-04 09:48:35 发布自中国香港，悬赏 10 积分
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