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标题
Multiple SiGe/Si layers epitaxy and SiGe selective etching for vertically stacked DRAM
垂直堆叠DRAM的多层SiGe/Si外延和SiGe选择性刻蚀
相关领域
德拉姆 材料科学 光电子学 外延 蚀刻（微加工） 纳米技术 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1088/1674-4926/44/12/124101
DOI
10.1088/1674-4926/44/12/124101 doi
其它 期刊：Journal of Semiconductors
作者：Zhenzhen Kong; Hongxiao Lin; Hailin Wang; Yanpeng Song; Junjie Li; et al
出版日期：2023-12-01
求助人
阿nice 在 2025-05-07 16:09:39 发布自安徽，悬赏 10 积分
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