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 Search Refine results for He silicon MD simulation (Topic) and Preprint Citation Index (Exclude – Database) Exploring defect behavior in helium-irradiated single-crystal and nanocrystalline 3C-SiC at 800°C: A synergy of experimental and simulation techniques 6 of 20 Exploring defect behavior in helium-irradiated single-crystal and nanocrystalline 3C-SiC at 800°C: A synergy of experimental and simulation techniques He硅MD模拟（主题）和预印本引用索引（排除数据库）的搜索细化结果探索800°C下氦辐照单晶和纳米晶3C-SiC的缺陷行为：实验和模拟技术的协同作用20探索800°C下氦辐照单晶和纳米晶3C-SiC的缺陷行为：实验和模拟技术的协同作用
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(2025-6-4)
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