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Ferroelectric FETs-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Circuits
基于铁电场效应晶体管的非易失性存储逻辑电路
相关领域
CMOS芯片
电阻随机存取存储器
逻辑门
电子线路
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期刊:IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems 作者:Xunzhao Yin; Xiaoming Chen; Michael Niemier; Xiaobo Sharon Hu 出版日期:2019-01-01 |
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