Artificial Synapse Based on a FAPbI3/Atomic-Layer-Deposited SnO2 Bilayer Memristor

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标题	Artificial Synapse Based on a FAPbI3/Atomic-Layer-Deposited SnO2 Bilayer Memristor 基于FAPbI3/原子层沉积SnO2双层忆阻器的人工突触
网址	http://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c00253.s001
DOI	10.1021/acs.nanolett.4c00253.s001 doi
其它	期刊：作者：出版日期：2024-04-15
求助人	Gonna 在 2024-04-17 15:21:26 发布自福建，悬赏 10 积分
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