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 In situ non-destructive tracking of complex defect evolution on 4H-SiC homoepitaxial surfaces: Formation mechanisms and dynamic behavior of morphological defects 相关领域
材料科学
纳米尺度
外延
晶体缺陷
光致发光
原位
曲面重建
基质（水族馆）
化学物理
微观结构
纳米技术
半导体
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原子单位
透射电子显微镜
光电子学
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光谱学
结晶学
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电子结构
Crystal（编程语言）
扫描电子显微镜
单晶
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期刊：Applied Surface Science 作者：Mengda Wang; C. Tian; Runsheng Zheng; Yan Liu; ZhenBang Liu; et al 出版日期：2026-01-16 |
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