A Gate Degradation Independent Online Junction Temperature Estimation Method for SiC MOSFETs Based on Residual Resistance

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标题	A Gate Degradation Independent Online Junction Temperature Estimation Method for SiC MOSFETs Based on Residual Resistance
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/63/10659247/10561615.pdf...
DOI	10.1109/tpel.2024.3416182 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Zhigang Zhao; Peng Wang; Tianyuan Chen 出版日期：2024-06-19
求助人	lei 在 2026-07-22 21:16:21 发布自四川，悬赏 10 积分
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