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 Experimental Investigation and Hardening of Single-Event Gate Rupture in 100-V Spl-Gate Trench VDMOS 100V SPL栅槽VDMOS单事件栅破裂的实验研究与强化
相关领域
栅氧化层
材料科学
沟槽
随时间变化的栅氧化层击穿
硬化（计算）
辐射硬化
光电子学
垂直的
氧化物
电气工程
功率MOSFET
辐射损伤
电压
辐射
MOSFET
工程类
复合材料
晶体管
冶金
光学
物理
探测器
几何学
数学
图层（电子）
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| DOI |
10.1109/TNS.2023.3345348
doi
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