Comparison of self-heating effect (SHE) in short-channel bulk and ultra-thin BOX SOI MOSFETs: Impacts of doped well, ambient temperature, and SOI/BOX thicknesses on SHE

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标题	Comparison of self-heating effect (SHE) in short-channel bulk and ultra-thin BOX SOI MOSFETs: Impacts of doped well, ambient temperature, and SOI/BOX thicknesses on SHE
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/6709840/6724533/06724581...
DOI	10.1109/iedm.2013.6724581 doi
其它	期刊：2013 IEEE International Electron Devices Meeting 作者：Tsunaki Takahashi; Takeo Matsuki; Takahiro Shinada; Yasuo Inoue; Ken Uchida 出版日期：2014-02-01
求助人	生椰小与在 2026-03-19 16:29:06 发布自上海，悬赏 10 积分
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