| 标题 |
 Forming-Free and Self-Limited Multilevel Switching in TaO2/MnO Memristor Crossbar Arrays for High-Performance Memory Applications 相关领域
横杆开关
记忆电阻器
电阻随机存取存储器
材料科学
自洽
计算机科学
并行计算
物理
电子工程
工程类
电信
电极
量子力学
量子电动力学
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| 备注 |
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| 其它 |
期刊：ACS applied electronic materials 作者：Furqan Zahoor; Haider Abbas; Ali Alzahrani; Naseem Abbas; Taekjib Choi; et al 出版日期：2025-07-31 |
| 求助人 | |
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