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 Low-resistance contacts for p-type monolayer tungsten diselenide transistors using metallic layered Nb0.3W0.7Se2 相关领域
二硒化钨
单层
材料科学
晶体管
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钨
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氧化物
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金属
钨化合物
场效应晶体管
应变工程
电介质
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工作职能
沉积（地质）
纳米电子学
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期刊：Nature Electronics 作者：Zheng Sun; Aryan Afzalian; Peng Wu; Huairuo Zhang; Sergiy Krylyuk; et al 出版日期：2026-03-16 |
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