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 5 kV NiO/β-Ga2O3 heterojunction diodes with dual-layer spatially modulated JTE and ±79% process tolerance 相关领域
材料科学
光电子学
二极管
阳极
当前拥挤
进程窗口
电场
兴奋剂
异质结
击穿电压
功勋
电压
功率半导体器件
图层（电子）
调制（音乐）
阻塞（统计）
氧化物
制作
绝缘栅双极晶体管
高压
功率（物理）
电流密度
共发射极
阈值电压
宽禁带半导体
耗尽区
p-n结
压力（语言学）
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期刊：Microelectronics Journal 作者：Fushuang Qin; Fei Liao; Jinle You; Xiaoyang Yu; Shuanghong Song; et al 出版日期：2026-09-01 |
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