Spin Logical and Memory Device Based on the Nonvolatile Ferroelectric Control of the Perpendicular Magnetic Anisotropy in PbZr0.2Ti0.8O3/Co/Pt Heterostructure

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标题	Spin Logical and Memory Device Based on the Nonvolatile Ferroelectric Control of the Perpendicular Magnetic Anisotropy in PbZr0.2Ti0.8O3/Co/Pt Heterostructure
网址	https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/aelm.2020001...
DOI	10.1002/aelm.202000102 doi
其它	期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Zengyao Ren; Mengxi Wang; Pengfei Liu; Qi Liu; Kaiyou Wang; et al 出版日期：2020-04-20
求助人	wakaka 在 2026-10-12 14:50:04 发布自北京，悬赏 10 积分
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