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 Influence of the Device Structure on the Electrical and Photodetector Properties of n-MoS2/p-GaSe Heterojunction Optoelectronic Devices 器件结构对n-MoS2/p-GaSe异质结光电器件电学和光电探测器性能的影响
相关领域
异质结
响应度
光电子学
光电探测器
材料科学
光探测
整改
比探测率
电压
电气工程
工程类
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| 其它 |
期刊：ACS applied nano materials 作者：Xiaoxiang Wu; Wenxuan Guo; Mengge Li; Cong Xiao; Tianjian Ou; et al 出版日期：2023-06-27 |
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