Forming-free resistive switching characteristics of RF-sputtered Ga2O3-based memristors

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标题	Forming-free resistive switching characteristics of RF-sputtered Ga2O3-based memristors
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2026.110648
DOI	10.1016/j.mssp.2026.110648 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Hye Ryeong Lee; Dabin Jeon; Sung-Nam Lee 出版日期：2026-04-03
求助人	奋斗的静竹在 2026-08-28 22:57:37 发布自贵州，悬赏 10 积分
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