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标题
Total ionizing dose and single event effect response of 22 nm ultra-thin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator technology
22 nm超薄体和掩埋氧化物全耗尽绝缘体上硅技术的总电离剂量和单事件效应响应
相关领域
绝缘体上的硅 静态随机存取存储器 光电子学 吸收剂量 材料科学 晶体管 阈值电压 辐照 单事件翻转 偏压 电气工程 电压 硅 物理 工程类 核物理学
网址
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2023.115296
DOI
10.1016/j.microrel.2023.115296 doi
其它 期刊：Microelectronics Reliability
作者：Yanan Yin; Han Ma; Qiwen Zheng; Jiawei Chen; Xinpei Duan; et al
出版日期：2023-11-28
求助人
李沐唅 在 2025-06-25 15:42:18 发布自贵州，悬赏 10 积分
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