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 Demonstration of a 1200V Periodic Full-P Encapsulated 4H-SiC Trench MOSFET 1200 V周期性全P封装4 H-SiC沟道场效应晶体管的演示
相关领域
击穿电压
MOSFET
材料科学
电场
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电气工程
栅氧化层
氧化膦
电压
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物理
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磷化氢
催化作用
生物化学
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期刊： 作者：Jun Yuan; Zhijie Cheng; Fei Guo; Kuan Wang; Wei Chen; et al 出版日期：2023-11-27 |
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