Demonstration of a 1200V Periodic Full-P Encapsulated 4H-SiC Trench MOSFET

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标题	Demonstration of a 1200V Periodic Full-P Encapsulated 4H-SiC Trench MOSFET 1200 V周期性全P封装4 H-SiC沟道场效应晶体管的演示相关领域击穿电压 MOSFET 材料科学电场光电子学电气工程栅氧化层氧化膦电压拓扑（电路）物理化学工程类量子力学晶体管磷化氢催化作用生物化学
网址	https://doi.org/10.1109/sslchinaifws60785.2023.10399703
DOI	10.1109/sslchinaifws60785.2023.10399703 doi
其它	期刊：作者：Jun Yuan; Zhijie Cheng; Fei Guo; Kuan Wang; Wei Chen; et al 出版日期：2023-11-27
求助人	Estelle0928 在 2025-07-13 15:59:58 发布自北京，悬赏 10 积分
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