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 Nanoscale Mapping of the Full Strain Tensor, Rotation, and Composition in Partially Relaxed InxGa1−xN Layers by Scanning X-ray Diffraction Microscopy 通过扫描X射线衍射显微镜对部分弛豫InxGa1-xN层中的全应变张量、旋转和成分进行纳米级映射
相关领域
材料科学
衍射
铟
无穷小应变理论
纳米尺度
结晶学
凝聚态物理
物理
光学
光电子学
纳米技术
热力学
化学
有限元法
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| 其它 |
期刊：Physical Review Applied 作者：Carsten Richter; Vladimir M. Kaganer; Armelle Even; A. Dussaigne; P. Ferret; et al 出版日期：2022-12-06 |
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