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Ion-induced transformation of shallow defects into deep-level defects in GaN epilayers GaN外延层中浅缺陷向深能级缺陷的离子诱导转变
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期刊:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Beam Interactions with Materials and Atoms 作者:Kamal Kant Singh; Yogita Batra; Vaishali Rathi; Parmod Kumar; D. Kanjilal; et al 出版日期:2024-04-16 |
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