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[求助补充材料]
Three-Dimensional Elemental Analysis of Commercial 45 nm Node Device with High-$k$/Metal Gate Stack by Atom Probe Tomography 用原子探针层析成像对具有高$k$/金属栅极堆叠的商用45 nm节点器件进行三维元素分析
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期刊:Applied Physics Express 作者:Koji Inoue; Hisashi Takamizawa; Katsuyuki Kitamoto; Jun Kato; Takahiro Miyagi; et al 出版日期:2011-10-20 |
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