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 Self-terminated etching of GaN with a high selectivity over AlGaN under inductively coupled Cl 2 /N 2 /O 2 plasma with a low-energy ion bombardment 低能离子轰击感应耦合Cl2/N2/O2等离子体对GaN的高选择性自终止刻蚀
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期刊：Applied Surface Science 作者：Yaozong Zhong; Yu Zhou; Hongwei Gao; Shujun Dai; Junlei He; et al 出版日期：2017-06-01 |
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