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Ab-Initio Quantum Transport Simulation of Sub-1 nm Gate Length Monolayer and Bilayer WSe2 Transistors: Implications for Ultra-Scaled CMOS Technology 相关领域
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期刊:ACS applied nano materials 作者:Xingyue Yang; Shibo Fang; 英根 李; Zongmeng Yang; Qiuhui Li; et al 出版日期:2025-02-06 |
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