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984 V/3.0 mΩ·cm 2 Normally-Off and 817 V/ 2.7 mΩ·cm 2 Normally-On GaN Trench CAVETs With Wrap-Around Gate |
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| 其它 |
期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Xinyi Wen; Hayao Kasai; Nishita Sinha; Junrui Lyu; Chuanzhe Meng; et al 出版日期:2025-11-13 |
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