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 Dislocation reduction in GaN grown on porous TiN networks by metal-organic vapor-phase epitaxy 金属有机气相外延在多孔TiN网络上生长GaN中位错的减少
相关领域
锡
金属有机气相外延
材料科学
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退火（玻璃）
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Y. Fu; Feng Yun; Y. T. Moon; Ümit Özgür; Jinqiao Xie; et al 出版日期：2006-02-01 |
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