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 Analysis of AlGaN/GaN-Based HEMT with 3-Step Gate Field Plate for High Power Applications 相关领域
高电子迁移率晶体管
光电子学
材料科学
氮化镓
宽禁带半导体
功率（物理）
逻辑门
领域（数学）
电气工程
电子工程
工程类
晶体管
物理
纳米技术
电压
数学
图层（电子）
量子力学
纯数学
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期刊： 作者：Sahil Kumar; Utkarsh; Swapnendu; Harsh Ranjan; Shashank Kumar Dubey; et al 出版日期：2024-11-30 |
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