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 Operation of AlGaN channel HEMTs at 850°C with ON/OFF ratio >10 4 AlGaN沟道HEMT在850℃下的操作，开/关比>10 4
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：James Spencer Lundh; Brianna A Klein; Andrew A. Allerman; Andrew J. Cantrell; Alfred Zhao; et al 出版日期：2025-01-01 |
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