Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si(001) Substrates by Aspect-Ratio Trapping

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标题	Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si(001) Substrates by Aspect-Ratio Trapping
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0256-307X/32/2/02...
DOI	10.1088/0256-307x/32/2/028101 doi
其它	期刊：Chinese Physics Letters 作者：Shi-Yan Li; Xu-Liang Zhou; Xiang-Ting Kong; Meng-Ke Li; Jun-Ping Mi; et al 出版日期：2015-02-05
求助人	刘一帆在 2026-04-09 10:36:44 发布自河南，悬赏 10 积分
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