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 氧化锆类高介电常数前驱体材料的研究进展 |
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氧化锆类高介电常数前驱体材料的研究进展 董玉成王新鹏 天津绿菱气体有限公司 摘要：氧化锆是动态随机存取存储器（DRAM）制造中重要的高介电常数（k）材料。其由于具有相对高的k值、宽的带隙以及成熟的原子层沉积（ALD）工艺，因此作为替代传统的SiO2和SiON绝缘体的高k材料已被深入研究。总结了近年来卤化锆、锆的烷基醇盐及氨基醇盐、β-二酮锆盐、茂基锆配合物、锆的烷基氨盐、杂配型锆配合物等含锆前驱体的研究进展，分析了相关的优点及不足，并展望了未来可能的发展趋势。 关键词： 氧化锆;高k前驱体;先进制程; DOI： 10.19817/j.cnki.issn1006-3536.2023.S2.022 专辑： 工程科技Ⅰ辑 专题： 材料科学 分类号： TB34 |
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