AlN/AlGaN heterostructure field-effect transistor power devices advantageous for high-temperature application

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标题	AlN/AlGaN heterostructure field-effect transistor power devices advantageous for high-temperature application
网址	http://dx.doi.org/10.1063/5.0344498
DOI	10.1063/5.0344498 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Rongjun Zhang; Sirui Feng; Yanqiu Wang; Maojin Yang; Xiaoping Wang; et al 出版日期：2026-10-19
求助人	tonyguo 在 2026-10-25 20:20:29 发布自陕西，悬赏 10 积分
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