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 A High‐Hole Mobility Tellurium Transistor With Electron‐Donating Passivation Layer for Scalable, High‐Throughput Electronics 相关领域
钝化
材料科学
光电子学
电子迁移率
晶体管
薄膜晶体管
兴奋剂
阈值电压
半导体
碲
逆变器
电压
CMOS芯片
图层（电子）
数码产品
可扩展性
缩放比例
活动层
柔性电子器件
纳米技术
MOSFET
载流子
逻辑门
感应高电子迁移率晶体管
场效应晶体管
低压
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Taehyun Nam; Seung Min Lee; Chungryeol Lee; Changhyeon Lee; Sunwoo Jeong; et al 出版日期：2026-04-23 |
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