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 Coexistence of Small Threshold Voltage Instability and High Channel Mobility in 4H-SiC($000\bar{1}$) Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors 4H-SiC（$000\bar{1}$）金属氧化物半导体场效应晶体管中小阈值电压不稳定性和高沟道迁移率的共存
相关领域
阈值电压
材料科学
晶体管
不稳定性
光电子学
退火（玻璃）
氧化物
场效应晶体管
金属
电压
电子迁移率
半导体
负偏压温度不稳定性
电气工程
冶金
物理
工程类
机械
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Express 作者：Mitsuo Okamoto; Youichi Makifuchi; Miwako Iijima; Yoshiyuki Sakai; Noriyuki Iwamuro; et al 出版日期：2012-04-03 |
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