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The band structure calculation of tensile strained GaNAsBi/GaAs quantum well heterostructure 拉伸应变GaAsBi/GaAs量子阱异质结构的能带结构计算
相关领域
异质结
材料科学
极限抗拉强度
电子能带结构
量子
光电子学
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物理
复合材料
量子力学
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期刊:Micro and Nanostructures 作者:N. Ajnef; M.M. Habchi; A. Rebey 出版日期:2022-01-22 |
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