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标题
A breakthrough for temperature and linearity stability from device to circuit-level with 14 nm junctionless SOI FinFET: Advancing K-band LNA performance
14 nm无结SOI FinFET实现从器件到电路级的温度和线性稳定性突破：提升K波段LNA性能
相关领域
跨导 材料科学 线性 热稳定性 噪声系数 光电子学 绝缘体上的硅 电子线路 电气工程 噪音（视频） 电子工程 放大器 物理 硅 CMOS芯片 晶体管 工程类 电压 计算机科学 量子力学 人工智能 图像（数学）
网址
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2023.115278
DOI
10.1016/j.microrel.2023.115278 doi
其它 期刊：Microelectronics Reliability
作者：Amir Khodabakhsh; Mohammad Fallahnejad; Mahdi Vadizadeh
出版日期：2023-11-21
求助人
虚幻的天问 在 2025-08-29 13:25:36 发布，悬赏 10 积分
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