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  High Crystallinity Ge Growth on Si (111) and Si (110) by Using Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition 用减压化学气相沉积法在Si（111）和Si（110）上生长高结晶度锗
相关领域
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结晶度
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化学气相沉积
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锗
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Y. Yamamoto; Wei-Chen Wen; Markus Andreas Schubert; Cedric Corley‐Wiciak; Bernd Tillack 出版日期：2023-02-01 |
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