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标题
High Crystallinity Ge Growth on Si (111) and Si (110) by Using Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition
用减压化学气相沉积法在Si（111）和Si（110）上生长高结晶度锗
相关领域
材料科学 结晶度 退火（玻璃） 外延 化学气相沉积 位错 结晶学 锗 表面粗糙度 晶体生长 图层（电子） 分析化学（期刊） 光电子学 硅 复合材料 化学 色谱法
网址
https://doi.org/10.1149/2162-8777/acbb9d
AI链接 iop.orgdoi.org
DOI
10.1149/2162-8777/acbb9d doi
其它 期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology
作者：Y. Yamamoto; Wei-Chen Wen; Markus Andreas Schubert; Cedric Corley‐Wiciak; Bernd Tillack
出版日期：2023-02-01
求助人
luna 在 2025-08-28 19:54:04 发布，悬赏 10 积分
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