| 标题 |
 Study of dislocations in 4H-SiC substrate by fused alkali etching of 4H-SiC homogeneous epitaxy 熔融碱刻蚀4H-SiC均匀外延4H-SiC衬底中位错的研究
相关领域
同种类的
外延
碱金属
蚀刻（微加工）
材料科学
基质（水族馆）
光电子学
复合材料
化学
地质学
物理
热力学
图层（电子）
海洋学
有机化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Vacuum 作者：Jiaxin Zhang; Xiufang Chen; Xianglong Yang; Yan Peng; Xuejian Xie; et al 出版日期：2025-05-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
eric888
不配.
zcl
star
聪慧的正豪
LaTeXer
changping
子车茗
哆啦的空间站
Zx_1993
无极微光
昏睡的蟠桃
尉迟希望
iNk
tuanheqi
yangjiafengzi
8R60d8
xzy998
Bio
蜀安
小青椒
yaoli0823
唐泽雪穗
小杭76
ephore
Criminology34
若ruofeng
皖公网安备34019202002308
