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A Poisson–Schrodinger and cellular automaton coupled approach for two-dimensional electron gas transport modeling of GaN-based high mobility electron transistors
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网址
https://doi.org/10.35848/1347-4065/abd70b
AI链接 iop.orgdoi.org
DOI
10.35848/1347-4065/abd70b doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Koichi Fukuda; Junichi Hattori; Hidehiro Asai; Junya Yaita; Junji Kotani
出版日期：2020-12-28
求助人
平等创死每一个人 在 2025-10-13 10:36:57 发布自黑龙江，悬赏 10 积分
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