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 Selective-Area Growth of GaN Nanowires on Patterned SiOx/Si Substrates by Molecular Beam Epitaxy 分子束外延在图案化SiOx/Si衬底上选择性生长GaN纳米线
相关领域
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期刊：Technical Physics Letters 作者：Vladislav O. Gridchin; K. P. Kotlyar; R. R. Reznik; L. N. Dvoretskaya; Alesya V. Parfeneva; et al 出版日期：2020-11-01 |
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