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[求助补充材料]
  Physical and Electrical Properties of MOCVD and ALD Deposited HfZrO4 Gate Dielectrics for 32nm CMOS High Performance Logic SOI Technologies 用于32nm CMOS高性能逻辑SOI技术的MOCVD和ALD沉积HfZrO4栅介质的物理和电学性能
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期刊：ECS Transactions 作者：Torben Kelwing; Sergej Mutas; Martin Trentzsch; Andreas Naumann; Bernhard Trui; et al 出版日期：2010-10-01 |
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