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标题
[求助补充材料] Physical and Electrical Properties of MOCVD and ALD Deposited HfZrO4 Gate Dielectrics for 32nm CMOS High Performance Logic SOI Technologies
用于32nm CMOS高性能逻辑SOI技术的MOCVD和ALD沉积HfZrO4栅介质的物理和电学性能
相关领域
金属有机气相外延 原子层沉积 材料科学 X射线光电子能谱 化学气相沉积 电介质 光电子学 栅极电介质 高-κ电介质 随时间变化的栅氧化层击穿 硅 椭圆偏振法 分析化学（期刊） 薄膜 纳米技术 图层（电子） 化学 晶体管 电气工程 核磁共振 物理 电压 工程类 外延 色谱法
网址
https://doi.org/10.1149/1.3481586
AI链接 fraunhofer.de fraunhofer.dedoi.org
DOI
10.1149/1.3481586 doi
其它 期刊：ECS Transactions
作者：Torben Kelwing; Sergej Mutas; Martin Trentzsch; Andreas Naumann; Bernhard Trui; et al
出版日期：2010-10-01
求助人
甜崽噗噗 在 2025-12-17 19:46:43 发布自江苏，悬赏 20 积分
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