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标题
Halide vapor phase epitaxy of Si doped β-Ga2O3 and its electrical properties
卤化物气相外延硅掺杂β-Ga2O3及其电学性能
相关领域
外延 兴奋剂 硅 材料科学 卤化物 分析化学（期刊） 结晶度 镓 四氯化硅 活化能 电子迁移率 声子散射 光电子学 化学 无机化学 纳米技术 物理化学 热导率 色谱法 图层（电子） 冶金 复合材料
网址
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.09.006
DOI
10.1016/j.tsf.2018.09.006 doi
其它 期刊：Thin Solid Films
作者：Ken Goto; Keita Konishi; Hisashi Murakami; Yoshinao Kumagai; Bo Monemar; et al
出版日期：2018-09-05
求助人
冷傲新柔 在 2025-12-25 14:48:33 发布自福建，悬赏 10 积分
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