| 标题 |
 A 0.15-to-0.9-V V IN Cross-Coupled Charge Pump With Dynamic Leakage Suppression and Frequency Scaling Ring Oscillator Scoring >650-mV Voltage Dynamic Range in 65-nm CMOS 65nm CMOS中具有动态泄漏抑制和频率缩放的0.15至0.9 V V IN交叉耦合电荷泵，电压动态范围>650mV
相关领域
泄漏（经济）
材料科学
电压
缩放比例
充电泵
CMOS芯片
环形振荡器
光电子学
动态范围
电子工程
动态缩放
压控振荡器
物理
宽动态范围
电气工程
航程（航空）
瓦克振荡器
控制理论（社会学）
戒指（化学）
自动频率控制
频率标度
电荷（物理）
电容器
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| 其它 |
期刊：IEEE Journal of Solid-State Circuits 作者：Yi Khang Ooi; Harikrishnan Ramiah; Kishore Kumar Pakkirisami Churchill; Andrea Ballo; Wen Xun Lian; et al 出版日期：2025-01-01 |
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