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The impact of defect evolution on the electrical performance of AlGaN/GaN HEMT after 14-MeV neutron irradiation
14 MeV中子辐照后缺陷演化对AlGaN/GaN HEMT电性能的影响
相关领域
宽禁带半导体 材料科学 辐照 中子辐照 高电子迁移率晶体管 光电子学 中子 放射化学 晶体管 化学 核物理学 物理 电压 量子力学
网址
https://doi.org/10.1063/5.0262354
DOI
10.1063/5.0262354 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Baiwei Chen; Chuan Liao; Shaozhong Yue; Chao Peng; Zhangang Zhang; et al
出版日期：2025-06-02
求助人
waitingfor 在 2025-12-31 19:17:31 发布自江苏，悬赏 10 积分
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