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P‐16: Stacked PECVD SiO2 Gate Insulators for Top‐Gate Metal Oxide Thin‐Film Transistors in Enhancement Operation Mode |
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期刊:SID Symposium Digest of Technical Papers 作者:Sunbin Deng; Rongsheng Chen; Guijun Li; Meng Zhang; Fion Sze Yan Yeung; et al 出版日期:2019 |
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(2025-6-4)