Investigation of Field Plate Design and Gate Control Strategies for Monolithic Bidirectional GaN HEMTs in Vienna Rectifier Applications

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标题	Investigation of Field Plate Design and Gate Control Strategies for Monolithic Bidirectional GaN HEMTs in Vienna Rectifier Applications
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ispsd64561.2026.11553936
DOI	10.1109/ispsd64561.2026.11553936 doi
其它	期刊：2026 IEEE 38th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者：Chun-Hao Lai; Wei-Ting Hsu; Vito Argono; Po-Yen Huang; Haoran Wang; et al 出版日期：2026-05-24
求助人	liuchuck 在 2026-07-09 15:12:05 发布自广东，悬赏 10 积分
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