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Low-temperature plasma-assisted oxidation of Si: a new approach for creation of device-quality SiSiO2 interfaces with deposited dielectrics for applications in Si MOSFET technologies |
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期刊:Journal of Non-Crystalline Solids 作者:G. Lucovsky; T. Yasuda; Y. Ma; S. Hattangady; V. Misra; et al 出版日期:1994-11-01 |
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