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 The Impact of Well-Edge Proximity Effect on PMOS Threshold Voltage in Various Submicron CMOS Technologies 各种亚微米CMOS工艺中阱边邻近效应对PMOS阈值电压的影响
相关领域
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CMOS芯片
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期刊： 作者：Marika Grochowska; Witold A. Pleskacz 出版日期：2024-04-03 |
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